(Архивное фото)

По сообщению веб-сайта «Синьхуаван»,12 сентября южнокорейский производитель электроники Samsung выделил 7 млрд. долларов США на строительство завода в городе Сиань провинции Шэньси, тем самым официально приступив к созданию наиболее передовой производственной линии наноразмерных микросхем памяти. Это также один из крупнейших зарубежных высокотехнологичных проектов в Китае, с началом проведения политики реформы и открытости.

Компания Samsung заявила, что созданная недавно компания Samsung Semiconductor Co, Ltd запланировала на первом этапе инвестировать 7 млрд. долларов США, первая партия продукции будет выпущена в начале первого полугодия 2014 года. Предполагается, что объем капиталовложений на втором этапе может достичь 30 млрд долларов США.

Главный исполнительный директор, вице-президент компании Samsung Electronics Канг-Хюн Квон (Kang-Hyun Kwon) отметил, что это самый высокотехнологичный завод Samsung в Сиане, а также крупнейшее капиталовложение компании в Китае.

Для поддержки развития информационной и электронной промышленности, город Сиань и район новых технологий «Гаосинь» создали специальные фонды в 4 млрд. юаней и 1 млрд юаней соответственно. По предварительным подсчетам, к 2015 году масштаб информационной и электронной индустрии превысит 300 млрд. юаней.

По данным исследовательской организации Gartner, в прошлом году потребление флэш-памяти NAND в Китае составило половину от общего мирового объема потребления, масштаб достиг 29 млрд. долларов США, таким образом Китай стал самым крупным покупателем чипов в мире. К 2015 году доля китайского рынка может вырасти до 55%. Для передового лидера в области технологий хранения данных и продуктов Samsung, ценность китайского рынка очевидна.-о-